1a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态2b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态3d是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态场效应晶体管Field Effect Transistor缩写FET简称。

电源控制器中的压控振荡器VCO转换为频率信号用于开关管驱动硬件参考电路PFC功率级电路与NCP1654控制电路如图2ab所示LLC谐振变换器参考电路包括功率回路电气图驱动电路和辅助供电，分别如图2cd。

三极管，全称半导体三极管，也称双极型晶体管晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关晶体三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件三极管的工作原理基于其内部的PN结结构它是在一块半导体基片上制作两。

在实际应用中，正确识别场效应管的三个管脚对于电路设计和维护至关重要通过上述方法，可以准确地判断出N沟道和P沟道场效应管的类型，从而避免因错误连接而导致的电路故障此外，对于一些特殊类型的场效应管，如绝缘栅双极型晶体管IGBT，其栅极与源极之间的电阻值会更高，通常在数十千欧至几百千欧之间而漏极与源。

无论是P型区或者N型区，在不加电的情况下，都是中性的当B极加负电压时，C极的P区空穴被吸引到靠近B极的一侧，C极连接电池的负极，提供电子。

场效应管有共源共漏接法与晶体管放大电路共射共集接法相对应栅极基极G接控制信号，源极S接负载电源负极模拟地，漏极D接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极当栅极基极G电压大于MOSFET管开启电压通常为12V，源极S到漏极D导通，导通电流很小。